电子照片：
一. 基本信息：
秦剑，博士，副教授，硕士生导师
联系方式：广州大学城外环西路230号电子与通信工程学院，510006
Email: gzu_jian@gzhu.edu.cn
二. 个人简介：
秦剑，男，博士，副教授，硕士生导师，广州大学广东省现代视听工程技术研究中心副主任，电子信息工程实验室主任，中国电子学会高级会员，主要从事宽禁带微纳半导体器件、仿生机器学习算法等方面的研究，发表研究论文30余篇，以第一及通信作者在包括IEEE Transaction on Electron Devices，IEEE Journal of the Electron Devices Society , Solid-States Electronics，Nanoscale Research letters等半导体领域国际重要期刊上发表SCI论文20余篇，专利7项。近年来作为项目负责人主持并主要参与国家自然科学基金1项、广东省自然科学基金面上项目1项、广东省科技厅应用型科技研发专项1项、广州市科技计划基础与应用基础项目2项，广州市市属高校科技项目1项，产学研横向项目1项；指导学生参加教育部主办的“高教社杯”全国大学生数学建模竞赛、美国国际数学建模竞赛获国家级（省级）一等奖、二等奖10余项，获2020、2021广东省大学生数学建模竞赛优秀指导教师，广州大学“优秀教师”。
研究/招生方向：1. 微纳半导体器件建模与智能计算（学硕、专硕）；2. 小型化无线通信射频系统（集成电路）设计及应用3. 神经网络及仿生优化算法；
三. 教育背景：
1. 2011.9 - 2015.12，华南理工大学微电子与固体电子学专业，获工学博士学位
2. 2003.9–2005.6，瑞典林雪平大学（Linkoping university, Sweden）单芯片设计与通信系统集成专业,获工学硕士学位
3. 1999.9 - 2003.6, 广州大学（原广州师范学院）,计算机科学与技术专业，获学士学位
四．工作经历：
n 2016.6–至今， 广州大学电子与通信工程系，副教授，硕士生导师，实验室主任 ( 2017.1 - 2019.5期间赴华南理工大学光电工程技术研究中心流动站从事博士后科学研究工作，完成研究项目后出站)
n 2010.9–2011.8，珠海格力电器R&D IC模拟电路研发部，半导体器件工程师
n 2005.11–2010.8，广州大学信息与机电工程学院信息与控制工程系，助教，讲师
五．讲授课程：
研究生：射频集成电路设计；本科生：电磁场与电磁波、通信电子线路
六．主要期刊论文：
(1) J.X Chen, Jian Qin, X. Ma, H. Wang. Improved RF Power Performance of AlGaN/GaN HEMT on Silicon with Planar Distributed Channel. Solid-State Electronics, 2023, 201: 108619.
(2) X. Liu, Jian Qin, J.X. Chen, J. Chen, H. Wang. Novel Stacked Passivation Structure for AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with High Johnson’s Figures of Merit. IEEE Journal of the Electron Devices Society 2023, (11): 130-34.
(3) Y.L.Zhou,, Jian Qin, Z. Xie, H. Wang. Performance Enhancement for AlGaN/GaN HEMTs with Dual Discrete Field-Plate. Solid-State Electronics , 2023, 200:198571.
(4) J.Y. Wang, R.H. Yao, Z.T. Xiong, Jian Qin, H. Wang, Design of a broadband power amplifier based on high-efficiency impedance space, International Journal of Circuit Theory And Application, 2023, 1-11, doi:10.1002/cta.3609
(5) Z.X. Wang, Jian Qin, Z. Hu, J. He, D. Tang. Multi-Objective Antenna Design Based on Bp Neural Network Surrogate Model Optimized by Improved Sparrow Search Algorithm. Applied Sciences , 2022, 12 (24): 12543
(6) Jian Qin, Q.B.Zhou, B.Y.Liao, J.X Chen, H. Wang. A Comprehensive Analysis of the 2-DEG Transport Properties in InxAl1–xN/AlN/GaN Heterostructure: Experiments and Numerical Simulations." IEEE Transactions on Electron Devices, 2020,67(12): 5427-33
(7) J.X Chen, Jian Qin, W.X Xiao, H. Wang. Effective Suppression of Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT with N2O Plasma Treatment Followed by High Temperature Annealing in N2 Ambience IEEE Journal of the Electron Devices Society 2022, 10 : 356-60.
(8) 黄兴原，秦剑，基于人工神经网络的HEMT器件参数提取方法研究,电子技术应用, 2020,03:47-50
(9) Jian Qin , Q. Zhou, B.Y. Liao, H. Wang. Modeling of 2DEG characteristics of InxAl1− xN/AlN/GaN-Based HEMT Considering Polarization and Quantum Mechanical Effect. Electronics, 2018, 7(12): 410.
(10) B.Y. Liao, Q. Zhou, Jian Qin, Wang H. Simulation of AlGaN/GaN HEMTs’ Breakdown Voltage Enhancement Using Gate Field-Plate, Source Field-Plate and Drain Field Plate. Electronics, 2019, 8(4): 406.
(11) Wei W, Yan X, Shen B, Jian Qin, Zhang X. Channel Plasmon Nanowire Lasers with V-Groove Cavities. Nanoscale Research Letters, 2018, 13(1): 227.
(12) Jian Qin, L.Qiang Analysis of carrier transport mechanism for p-type SnO thin-film transistor. Key Engineering Materials, 2017, 748: 122-126.
(13) Jian Qin, R.H Yao. A unified channel potential model for asymetrical Dual Gate a-Si:H Thin Film Transistors. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2016, 44(1): 30-37.
(14) Jian Qin, R.H Yao Modeling of current-voltage characteristics for dual gate amorphous-silicon transistors considering deep Gaussian density-of-state distribution. Journal of Semiconductors, 2016, 36(12): 124005-124001:124008.
(15) Jian Qin, R.H. Yao. A physics-based scheme for potentials of a-Si: H TFT with symmetric dual gate considering deep Gaussian DOS distribution. Solid-State Electronics, 2014, 95: 46-51.
(16) 秦剑，胡晓，唐冬，基于课程群的电子信息工程创新实验体系改革探索，实验技术与管理，2012，,29（4）：27-30.
(17) 秦剑，胡晓，电工电子创新实验体系的系统化构建与探索性研究，高等理科教育，2010,6:111-114
七．主要研究项目：
(1) 含In组分的GaN基HEMT复合场板调制新结构与器件建模方法研究, 2021年广东省自然科学基金面上项目, 2021A1515012566，2021-01至2023-12,主持
(2) 新型InAlN/GaN异质结高迁移率晶体管器件结构与建模方法研究，2020年广州市科技计划基础与应用基础研究项目，202002030407，2020-04至2023-03，主持
(3) 面向电信工程领域若干复杂工程问题的构建与教学实践，2021年广东省教育厅高等教育教学改革项目，2022-01 至 2024-10，主持
(4) 硅基氮化镓功率器件关键技术及产业化，广东省科技厅应用型科技研发专项，2015B010127013, 2016-01至2019-12，校内主持
(5) GaN基异质结HEMT集约模型开发，中山市工业技术研究院横向项目，2017190,2017-09至2020-08,主持
(6) 基于溶液法处理的柔性有机薄膜晶体管载流子输运机理及器件物理模型研究，2016年广州市市属高校科研项目，1201630328,2017-01至2019-06，主持
(7) 面向新型印刷显示技术的柔性双栅有机薄膜晶体管建模及参数提取，2016年广州大学新苗计划项目，2016-01至2019-1，主持
(8) 氧化物半导体薄膜晶体管的模型及参数提取方法研究，2013年国家自然科学基金面上项目，61274085，2013-01至2016-12，参与
八．主要知识产权：
(1) 一种C波段高增益低噪声放大器，ZL 2022 2 2130628.6
(2) 集成电路总线地址的动态分配方法、系统及存储介质 ZL201910448825.2
(3) 一种基于改进高斯牛顿法的数字预失真方法及系统 202211188097.4
(4) 一种基于混合神经网络的射频低噪声放大器电路设计方法 202210232485.1
(5) 基于神经网络的射频功放散射参数提取方法及装置 202010783942.7
(6) 基于神经网络的射频功放谐波平衡参数提取方法，202010783903.7
(7) 基于神经网络的HEMT散射参数提取、系统及存储介质 201910788925.X
